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Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció ayer jueves que ha hecho un importante avance en el impulso a un mayor volumen de chips de memoria mediante el desarrollo de los cuatro primeros del mundo gigabit ( gb) DDR3 de chips de DRAM, con 50 nanómetros (nm), tecnología de proceso. 
Con más y más centros de datos de búsqueda de una reducción en el número de servidores que utilizan, el desarrollo de baja potencia 4Gb DDR3 crítica se ha convertido en centro de datos en la reducción de costes, la mejora de la gestión del tiempo del servidor y aumentar la eficiencia general. 
Para la nueva generación de “verde” de servidores, el de 4Gb DDR3 de alta densidad combinada con su bajo nivel de consumo de energía no sólo proporcionará una reducción en las facturas de electricidad, sino también un recorte en las tasas de instalación, los gastos de mantenimiento y reparación de las tasas y la participación de los suministradores de energía equipo que emita calor. 

“Hemos movilizado nuestra fuerza en la innovación para desarrollar la primera 4Gb DDR3, líder en la industria de DRAM a mayores densidades,” dijo Kevin Lee, Vice President, técnicas de comercialización, Samsung Semiconductor, Inc. “Al diseñar nuestra 4Gb DDR3 el estado actual de la técnica 50-nm clase de tecnología, estamos sentando las bases para lo que en definitiva se traducirá en importantes ahorros de costes, para servidores y para el mercado global de la informática “, añadió.

El 4Gb DDR3 puede ser producido en 16 gigabytes (GB) registrado en la doble línea de módulos de memoria (RDIMM) para servidores, así como 8GB unbuffered DIMM (UDIMM) para estaciones de trabajo y PCs de escritorio, y 8GB pequeño esbozo DIMM (SODIMM) para ordenadores portátiles . Mediante la aplicación de doble paquete de tecnología de morir, este nuevo dispositivo puede entregar módulos de hasta 32 GB – que ofrece el doble de calidad de los módulos de memoria sobre la base de la anterior más alta densidad de chips de 2Gb.

Fuente: Samsung